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NXP Semiconductors
MMBZxAL series
Low capacitance unidirectional double ESD protection diodes
7. Characteristics
Table 10. Characteristics
T amb = 25 ° C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per diode
V F
forward voltage
I F = 10 mA
-
-
0.9
V
V RWM
reverse standoff voltage
MMBZ5V6AL
MMBZ6V2AL
MMBZ6V8AL
MMBZ9V1AL
MMBZ10VAL
MMBZ12VAL
MMBZ15VAL
MMBZ18VAL
MMBZ20VAL
MMBZ27VAL
MMBZ33VAL
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
3
4.5
6
6.5
8.5
12
14.5
17
22
26
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
I RM
reverse leakage current
MMBZ5V6AL
MMBZ6V2AL
MMBZ6V8AL
MMBZ9V1AL
MMBZ10VAL
MMBZ12VAL
MMBZ15VAL
MMBZ18VAL
MMBZ20VAL
MMBZ27VAL
MMBZ33VAL
V RWM = 3 V
V RWM = 3 V
V RWM = 4.5 V
V RWM = 6 V
V RWM = 6.5 V
V RWM = 8.5 V
V RWM = 12 V
V RWM = 14.5 V
V RWM = 17 V
V RWM = 22 V
V RWM = 26 V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.24
5
10
5
1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
5
200
300
100
20
5
5
5
5
5
5
μ A
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
V BR
breakdown voltage
MMBZ5V6AL
MMBZ6V2AL
MMBZ6V8AL
MMBZ9V1AL
MMBZ10VAL
MMBZ12VAL
I R = 20 mA
I R = 1 mA
I R = 1 mA
I R = 1 mA
I R = 1 mA
I R = 1 mA
5.32
5.89
6.46
8.65
9.5
11.4
5.6
6.2
6.8
9.1
10
12
5.88
6.51
7.14
9.56
10.5
12.6
V
V
V
V
V
V
MMBZ15VAL
I R = 1 mA
14.25 15
15.75 V
MMBZ18VAL
MMBZ20VAL
I R = 1 mA
I R = 1 mA
17.1
19
18
20
18.9
21
V
V
MMBZ27VAL
MMBZ33VAL
I R = 1 mA
I R = 1 mA
25.65 27
31.35 33
28.35 V
34.65 V
MMBZXAL_SER_2
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 10 December 2009
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